Производитель	Mitsubishi
Макс.напр.к-э,В	4500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	3
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	900
Структура модуля	одиночный транзистор
Тип силового модуля	Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц	15
Входная емкость затвора,нФ	162
Драйвер управления	внешний
Защита по току	нет
Защита от короткого замыкания	нет
Защита от перегрева	нет
Защита от пониженного напряжения питания	нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт	10000
Максимальный ток эмиттера, А	1800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В	6
Напряжение эмиттер-коллектор,В	3
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс	2400
Напряжение изоляции, В	6000

Отправь заявку с этой формы и получи скидку на заказ!

Быстрый заказ на позицию 'CM900HB-90H, модуль 1 IGBT 4500В 900A' или по Вашему списку потребностей:

Текст запроса в магазин электроники Bitran:

Производитель:
Артикул:	8914572

Документация

О доставке

Похожие товары