Производитель	Mitsubishi
Макс.напр.к-э,В	1700
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	2.6
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	800
Структура модуля	полумост
Тип силового модуля	Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц	15
Входная емкость затвора,нФ	72
Драйвер управления	внешний
Защита по току	нет
Защита от короткого замыкания	нет
Защита от перегрева	нет
Защита от пониженного напряжения питания	нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт	6250
Максимальный ток эмиттера, А	1600
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В	5.5
Напряжение эмиттер-коллектор,В	2.3
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс	1300
Напряжение изоляции, В	4000
Вес	1.009 кг.

Отправь заявку с этой формы и получи скидку на заказ!

Быстрый заказ на позицию 'CM800DZ-34H#301, модуль 2 IGBT 1700В 800A=GD800HFX170C3S,FF800R17KP4_B2' или по Вашему списку потребностей:

Текст запроса в магазин электроники Bitran:

Производитель:
Артикул:	8914561

Документация

О доставке

Похожие товары