Производитель	Mitsubishi
Макс.напр.к-э,В	1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	1.8
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	75
Структура модуля	чоппер с диодом
Тип силового модуля	Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц	20
Входная емкость затвора,нФ	29
Драйвер управления	внешний
Защита по току	нет
Защита от короткого замыкания	нет
Защита от перегрева	нет
Защита от пониженного напряжения питания	нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт	450
Максимальный ток эмиттера, А	150
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В	6
Напряжение эмиттер-коллектор,В	3.2
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс	50
Напряжение изоляции, В	2500
Вес	310 гр.

Отправь заявку с этой формы и получи скидку на заказ!

Быстрый заказ на позицию 'CM75E3U-24F, IGBT модуль RTC 1200В 75A 4 поколение F серия' или по Вашему списку потребностей:

Текст запроса в магазин электроники Bitran:

Производитель:
Артикул:	8914543

Документация

О доставке

Похожие товары