Производитель	Mitsubishi
Макс.напр.к-э,В	1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	2.5
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	150
Структура модуля	полумост
Тип силового модуля	Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц	25
Входная емкость затвора,нФ	30
Драйвер управления	внешний
Защита по току	нет
Защита от короткого замыкания	нет
Защита от перегрева	нет
Защита от пониженного напряжения питания	нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт	1100
Максимальный ток эмиттера, А	300
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В	6
Напряжение эмиттер-коллектор,В	2.25
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс	350
Напряжение изоляции, В	2500
Вес	270 гр.

Отправь заявку с этой формы и получи скидку на заказ!

Быстрый заказ на позицию 'CM150DY-24H, модуль 2 IGBT 1200В 150A 3 поколение H серия' или по Вашему списку потребностей:

Текст запроса в магазин электроники Bitran:

Производитель:
Артикул:	8914382

Документация

О доставке

Похожие товары