Производитель	Mitsubishi
Макс.напр.к-э,В	1400
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	3.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	100
Структура модуля	полумост
Тип силового модуля	Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц	25
Входная емкость затвора,нФ	20
Драйвер управления	внешний
Защита по току	нет
Защита от короткого замыкания	нет
Защита от перегрева	нет
Защита от пониженного напряжения питания	нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт	780
Максимальный ток эмиттера, А	200
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В	6.5
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс	400
Напряжение изоляции, В	2500

Отправь заявку с этой формы и получи скидку на заказ!

Быстрый заказ на позицию 'CM100DY-28H, модуль 2 IGBT 1400В 100A 3 поколение H серия' или по Вашему списку потребностей:

Текст запроса в магазин электроники Bitran:

Производитель:
Артикул:	8914330

Документация

О доставке

Похожие товары