Производитель	Mitsubishi
Макс.напр.к-э,В	1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	2.5
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	1000
Структура модуля	одиночный транзистор
Тип силового модуля	Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц	25
Входная емкость затвора,нФ	20
Драйвер управления	внешний
Защита по току	нет
Защита от короткого замыкания	нет
Защита от перегрева	нет
Защита от пониженного напряжения питания	нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт	5800
Максимальный ток эмиттера, А	2000
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В	6
Напряжение эмиттер-коллектор,В	2.7
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс	1500
Напряжение изоляции, В	2500
Вес	1.6 кг.

Отправь заявку с этой формы и получи скидку на заказ!

Быстрый заказ на позицию 'CM1000HA-24H, модуль 1 IGBT 1200В 1000A 3 поколение H серия' или по Вашему списку потребностей:

Текст запроса в магазин электроники Bitran:

Производитель:
Артикул:	8914317

Документация

О доставке

Похожие товары